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Jesus, R. M. de; Camargo, D.; Strecker, K. Sinterização e desenvolvimento microestrutural de ß -SiC com adição de 10% a -SiC. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 44., 2000, São Pedro. Anais... São Pedro, 2000.
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Resumo

Carbeto de silicio possui baixa densidade, alta dureza, elevada estabilidade termica, baixa tenacidade e pode ser densificado por sinterizacao via fase liquida usando aditivos tais como alumina, itria, lantania e outros. Devido as ligacoes covalentes, a producao de SiC denso, monolitico e sem aditivos e praticamente impossivel. Neste trabalho itria e nitreto de aluminio (Y2O3/AlN) foram adicionados juntamente com 10 % em massa de ƒ¿ -SiC no ƒÀ -SiC para induzir a transformacao da fase ƒÀ -SiC para ƒ¿ -SiC, com crescimento de graos alongados. Amostras de (ƒÀ 10%m ƒ¿).SiC20%vol.Y2O3/AlN foram sinterizadas a 1950 oC durante 0, 1 e 2 horas. Foram determinadas as densidades relativas, as perdas de massa, as composicoes de fases e as microestruturas. Verificou-se baixas perdas de massa e altas densificacoes, com microestruturas finas e homogeneas, porem, nao foi observado uma influencia significativa na taxa de transformacao ƒÀ -SiC para ƒ¿ -SiC nas condicoes empregadas neste trabalho.
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