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Matsuda, O. S. et al. Estudo da resistência mecânica de SIC: SI3N4 em função de variáveis de processamento. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 44., 2000, São Pedro. Anais... São Pedro, 2000.
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Resumo

Para formação do Si3N4 e uma forte interação com as partículas de SiC durante o processamento de refratários de SiC:Si3N4, é necessário minimizar a influência da distribuição granulométrica do SiC, e a influência da contaminação da atmosfera, principalmente o oxigênio absorvido. Durante a nitretação do silício, forma-se óxidos e oxinitretos de silício, que são produtos indesejáveis. Neste trabalho foram estudadas: as variações de distribuição de granulometria do SiC através de software, para sua otimização; adições de bentonita e argila para formação de fase vítrea e injeção de H2 e propano na atmosfera, para maximizar a nitretação. As amostras foram compactadas unixialmente e nitretadas em atmosfera controlada de N2, em baixa pressão a temperatura de 1.400 0 C. As microestruturas foram verificadas por microscopia eletrônica de varredura(MEV), espectroscopia de energia dispersiva de raios X(EDS) e suas fases cristalinas determinadas por difração de raios X. Os resultados de ensaios de resistência mecânica à flexão obtidas a partir do módulo de ruptura, mostrou a relação entre processamento e seus parâmetros controle.
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