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Longo, E. et al. Importância do Ta2O5 nos varistores de TiO2 dopados com Bi2O3 e BaO. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 47., 2003, João Pessoa. Anais... João Pessoa, 2003.
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Número de Trabalhos: 2 (Nenhum com arquivo PDF disponível)
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Co-autores: Nenhum co-autor encontrado

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Resumo

Varistores de TiO2 tem sido obtido substituindo o Nb2O5 por Ta2O5 sendo observado que a adição deste óxido aos varistores de SnO e TiO2 garante a obtenção de varistores com características eletrônicas melhores e mais reprodutíveis. Por outro lado, os dopantes BaO e Bi2O3 também tendem a favorecer as propriedades elétricas criando barreiras efetivas no contorno dos grãos, porém observa-se a necessidade de controlar a evaporação destes óxidos durante a sinterização. Portanto, neste trabalho controlando-se a evaporação destes óxidos, foi possível obter varistores de baixa tensão (30 V / cm) substituindo o Nb2O5 por Ta2O5 e adicionado-se Ba e Bi como dopantes, sendo observado por meio da microscópica eletrônica de varredura a diminuição de poros transgranulares após um controle da evaporação dos óxidos de Ba e Bi. Também será apresentado a influência da taxa de resfriamento, temperatura e patamar de sinterização sobre as propriedades elétricas destes sistemas varistores.

Abstract

TiO2 –based varistors have been obtained by the replacement of Nb2O5 by Ta2O5. It has been observed that the addition of the latter oxide to the SnO2 and TiO2 varistors guarantees varistors with better and more reproducible electronic characteristics. On the other hand, the dopantes BaO and Bi2O3 also tend to favor the electric properties creating effective barriers at the grain boundaries, it was noticed the need to control the evaporation of these oxides during sintering. Therefore, in this work by controlling such aforementioned evaporation it was possible to obtain low voltage varistors (30V/cm) by replacing Nb2O5 by Ta2O5 and also adding Ba and Bi as dopantes. In this way, it was observed by SEM the diminishing of transgranular pores after the evaporation control of Ba and Bi oxides. It is also presented the influence of heat-treatment variables (cooling rate, platean temperature, platean interval) on the electric properties of these varistors systems.
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