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Geraldo, V.; Salerno Jr, A. C. Salerno Junior; Scalvi, L. V. A. Transporte elétrico fotoinduzido em filmes finos de SnO2 obtido via sol-gel. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 47., 2003, João Pessoa. Anais... João Pessoa, 2003.
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Resumo

Depositamos filmes finos de SnO2 pelo processo de molhamento via sol-gel, os quais possuem grãos de dimensões nanométricas (3-10nm) e condução do tipo n devido à vacâncias de oxigênio e dopagem com Sb. Neste trabalho apresentamos um modelo onde a resistividade é função do espalhamento interno do cristalito (fônons e impurezas ionizadas) e do contorno de grão. Dados de resistividade em função da temperatura para o intervalo 25-300K e da condutividade fotoinduzida pelo quarto harmônico de um laser de Nd:YAG (linha 266nm) são simulados. Os resultados indicam que o espalhamento no contorno de grão é o mecanismo mais relevante para a condutividade, pois a largura da região depletada pela adsorção de oxigênio pode chegar a metade do diâmetro total do nanocristal.

Abstract

We have deposited SnO2 thin film by dip coating via sol gel route, which have nanocrystalline grains (3-10nm) and presents n-type conduction due to oxygen vacancies and Sb doping, In this work we present a model where resistivity is function of intragrain scattering (phonons and ionized impurity) and grain boundary. Data of resistivity as function of temperature in the range 25-300K and conductivity photoinduced by the fourth harmonic of a Nd:YAG laser (266 nm) are simulated. Results indicate that grain boundary scattering is the most relevant mechanism to the conductivity, since the layer depleted by oxygen adsorption, can reach as much as half of nanocrystal diameter.
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