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Taguchi, Simone Pereira; Ribeiro, Sebastião. Avaliação do comportamento do sistema SiC+Al2O3/Y2O3 com a temperatura. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 47., 2003, João Pessoa. Anais... João Pessoa, 2003.
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Resumo

A sinterização por fase líquida depende da temperatura, atmosfera, tempo, tipo e quantidade do aditivo. Neste trabalho será mostrado uma avaliação do comportamento do SiC+Al2O3/Y2O3 com a temperatura, utilizando o método da gota séssil, que consiste em colocar uma esfera de aditivo sobre uma placa de SiC e, durante o aquecimento, adquirir imagens que são tratadas por analisador. Observa-se uma retração de 41% do aditivo a aproximadamente 1510ºC e formação de bolhas a partir de 1740ºC, provavelmente devido a formação de produtos voláteis causada pela reação do aditivo com o SiC. O aditivo começou a molhar a superfície do SiC em 1780ºC apresentando ângulo de contato de 47º, molhando completamente em 1840ºC, e a partir desta temperatura o aditivo começou a evaporar. A aquisição de imagens durante o aquecimento é uma ferramenta interessante para estudar o comportamento do aditivo sobre o SiC.

Abstract

The liquid phase sintering depends on temperature, atmosphere, time, and also on kind and quantities of additives. This work showed the behavior of SiC/additive with temperature, using the séssil drop method. In this method, the additive sphere was put on the SiC plate, the system was heated in a furnace and the capture of images was analyzed by image analyzer. The additive shrinkage was 40% at 1510ºC, bubbles appeared at 1740ºC probably due to the reaction that form volatile products. The additive start to wet the SiC surface at 1780ºC presenting contact angle of 47º, and is completely wet at 1840ºC, evaporating above this temperature. The image acquisition is a good tool to study the behavior of additive on SiC.
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